氏名 : 川内 伸悟 (281567092)
所属 : 白石研
題目 : 縦型BC-MOSFETのSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程の歪み依存性の第一原理計算による考察
概要 :
縦型BC-MOSFETでは、その構造に起因する高いゲート電圧効果のおかげで、回路全体の電圧を下げても動作するためリーク電流を抑えることができると考えられている。さらに縦型にすれば、素子1
つの面積が小さくなり 1
つの集積回路により多くの素子を詰め込めるため、ただ薄くするよりも利点がある。以上の理由から、縦型BC-MOSFET
は次世代のFET素子として期待されている。しかし、この
縦型BC-MOSFETを製造する過程で柱状Siを熱酸化する際にSi-missing(Si消失)という現象が起こり、柱状構造を維持できなくなるという問題が生じている。この原因としてSi/SiO2界面において平面型に比べ歪みが生じていることが考えられるが原子レべルでは明らかになっていない。そこで本研究では
Si/SiO2
界面における熱酸化の歪み依存性について、さらに熱酸化工程後の水素アニール工程の効果について歪み依存性を密度汎関数法に基づく第一原理計算によって検討した。
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